行业硅衬底获国家科学技术发明一等奖乃实至名归

尘埃落定，2015年度国家科学技术发明一等奖于今日正式揭晓， 硅衬底高光效GaN基蓝色发光二极管 项目(简称硅衬底)摘得了此桂冠。十年磨一剑，硅衬底终于迈向了新征程，其大规模化应用指日可待。

由于生产技术难度大，硅衬底从一开始就饱受争议，并不被业界看好。而此次获奖，意味着硅衬底的技术瓶颈几近突破，同时也给硅衬底的市场发展释放了极大的信号，前景可观。有产业经济学家表示，在成本持续下降的背景下，硅衬底技术如若能获得资本大力追捧，产业格局有望被重塑。

技术突破：与蓝宝石衬底生长水平相当

我们采用新一代的应力调控技术消除了硅衬底上外延生长GaN薄膜易产生裂纹的难题，而且有效过滤了位错等缺陷，GaN的晶体质量与蓝宝石平片衬底上生长的水平相当。

在硅基GaN的材料平台上，我们研发了高效的量子阱生长技术与P型掺杂技术。硅基GaN的LED的芯片制备采用了垂直结构，具体包括高效反射镜、及氮面粗化技术，显著提高了LED的取光效率。

此外多宠物集体互动模式，我们还针对硅基GaN的薄膜特点，开发了陶瓷封装和直接白光芯片技术。总体来说，四年来我们从外延、芯片到封装整个链条都开发了一套全新的硅基GaN蓝、白光LED技术。 此次项目的主要参与人之一(江西)硅基LED研发副总裁孙钱博士在接受阿拉丁中心采访时如是表示。

他还谈到，在发光波长和市场应用方面，除了蓝光、白光产品之外，晶能光电在2015年开发了硅衬底紫外，可以用于固化、印刷、美甲等领域，并得到了客户的一致好评。在降低成本方面，已在向大尺寸硅衬底转移。目前4英寸硅衬底GaN基LED已经量产，而6英寸硅衬底LED的研发和例试也取得了很好的进展。借助自动化工艺线，有望大幅提升生产效率和产品良率，有效降低制造成本。

产业布局：创新产研市场化模式初具成效

据悉，江西省致力于打造千亿级LED产业群，公报于4日还发布了《关于打造南昌光谷建设江西LED产业基地实施方案》(下称方案)另外。

值得关注的是，江西省欲大力扶持硅基LED技术全产业链发展，并将采取以硅基LED技术合作换产业发展的模式，推动硅基LED技术向外辐射。方案提出，坚持自主发展与借助外力相结合的基本原则，依靠硅基LED原创技术优势，激发内生动力加快产业化步伐，提升硅基LED在国际上的地位和影响力。

查阅方案发现，A股上市公司、木林森、、均有项目被纳入上述发展计划当中。 从高校发明，到政府扶持，再到上市公司的产业资本合力实践，这是一条非常漂亮的创新链条，希望他们能成为标杆。 一位产业经济学家如此表示。